动员会现场。
尼索这样一番话说出来后，大夏一众芯片学专家也是气的咬牙切齿，但同时内心也升起一种无力感。
他们其实也知道，尼索这话说的虽然伤人，但也是不争的事实。
这些年来。
大夏虽然在芯片领域投资超过千亿。
可最后取得的成果，确实寥寥无几，在芯片技术上和代表着世界先列的漂亮国，的确相差甚远。
虽说尼索所说的‘相差十几年’，这里面可能会有夸张的成分，但也算是八九不离十。
“尼索教授，我认为我们大夏的芯片技术已经趋近成熟，似乎比你们漂亮国也不落后太多，不过今天并不是学术交流会，如果你们有什么要学术交流的，可以另找时间。”袁敬站了出来，不客气的说道。
“你们大夏人，总是做着一些自欺欺人的梦想。”尼索摇头说道，“我看，你们大夏既然连学术交流都不敢，这样的动员会，也没什么意义了。”
“谁说不敢了！”
“我是大夏云枫，你有什么问题，直接问就是了！”
听到这里，云枫也气势汹汹的站了出来，不顾身边袁敬和吴强的阻拦，大步走到尼索面前，“我到想要看看，你们漂亮国能有什么了不起的！”
见到这一幕。
动员会上，一众芯片专家也都很是热血，纷纷对云枫油然而生一种敬意。
只不过，对此萧玄只是微微皱眉。
芯片技术是一个庞大复杂的工程，就算他身上有学神系统在，但也不得不承认，在一段时期之内，大夏的芯片技术的确很难超越，甚至追上漂亮国。
虽说云枫勇气可嘉，可在科学领域，落后就是落后，不是谁嗓门大，谁就能有底气的。
“云枫教授，既然如此，请问您对铁电场效应的晶体管有什么见解？”尼索云淡风轻，一脸轻蔑的问道。
“铁电场效应晶体管？”
云枫忍不住一愣，“你是说，用铁电材料来制作晶体管？这怎么可能？这样的材料根本无法支撑数据的高速储存和传输，根本不适合做晶体管的材料！”
听到这，尼索摇摇头，就好像大人看到顽童一样。
很显然云枫在这一问题中败下阵来了。
其实，不只是云枫，就连袁敬和吴强都吃惊不小，在大夏的芯片技术研究课题之中，对于铁电材料的研究都寥寥无几，更别说关于铁电材料制作晶体管的课题了。
现在尼索提出来这样的课题，也难怪大夏芯片专家们都不明所以。
倒是楚元听到这里后，忍不住有点好奇。
今天上午，他在图书馆看书，正巧看到了漂亮国副教授deep Jariwala所写的《自然纳米技术》杂志，在杂志里面，这位副教授详细阐述了铁电材料与传统存储器相比，具有低功耗、高速度、高密度等优势。
他也考虑过，这样的材料是否适合作为芯片的基础材料，没想到，今天就被尼索教授提出来了！
这让他感觉到兴奋起来了。
难道说，铁电场效应晶体管,就是接下来漂亮国要研究的芯片新材料？
尼索接下来的几个关于铁电材料的问题，也是让大夏的一众芯片专家听得瞠目结舌，他们都没想到，漂亮国对于这不起眼的铁电材料，竟然能有如此深刻的研究。
“尼索教授说的不错。”
“目前，就算最先进的电子硬件在大数据革命面前都显得有些‘捉襟见肘’，或许在不久的将来，铁电场效应晶体管（FE-FEts）是应对这一挑战的最有趣的答案之一。”
楚元站了出来，笑着说道，“多谢尼索教授给出的思路，不然，我们大夏还真没想到这些思路。”
听到这话，尼索忍不住愣了一下，随后眼神中带着几分敌意的看着楚元，“你是什么人？有什么资格和我说话？”
“楚元是我的弟子。”
“我想，既然是学术交流，那么尼索教授应该不会介意他谈论议论这些话题吧？”
袁敬反问道。
其实，刚才尼索之所以那样斥责楚元，并不是因为后者的身份，相反则是因为楚元刚才所说的话，的确让他心惊不已。
楚元刚才所说的还真没有问题。
漂亮国的确未来打算在铁电材料方面，做一些芯片方面的进步，争取早日突破0.4纳米以下的芯片阈值。
这已经算是他们国家的绝密了。
谁知道，今天竟然被楚元给轻而易举的猜测到了，这属实有点出乎他的预料。
“就凭借你们大夏对于铁电材料的了解，就算给你们十年，一百年，也无法研究出来真正的铁电芯片！”尼索冷笑道。
“说的不错。”
楚元点点头，“单单凭借铁电材料本身，的确无法制造出来真正的芯片，可是，如果在铁电材料氮化铝钪（AlScN）上覆盖了一些类似二硫化钼（moS2）的二维半导体，把这两种材料有效地结合在一起，我相信一定能制造出对工业制造有吸引力的晶体管，是么？”
之前尼索还是一脸不屑的样子。
可是听到楚元的这句话之后，他的脸色也是瞬间苍白了起来。
铁电材料和二维半导体结合，这正是漂亮国最近芯片研究的最前沿科技，楚元竟然能凭借他的三言两语，做出这样的推断和分析。
这让他也感觉到一种无形的压力。
看着楚元，他甚至都有点震惊，不敢相信这样的话竟然是一个大夏的年轻人说出来的话。
“对啊！楚元说的没错啊！铁电材料如果可以和二维半导体结合，这的确可以大大提升芯片计算和储存的效率啊！”
“理论上讲，一个设备可以携带的电流越多，它在计算应用上的运行速度就越快，从这个角度来说，铁电材料的确是芯片的最合适的材料之一！”
“今天楚元同学立大功了啊！如果充分利用铁电材料的非易失记忆性质，我们完全有信心大大降低传统器件的尺寸和能量使用阈值，并提高速度！”
……
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